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[涨姿势] 由于纳秒级的开关速度和拒绝磨损，独特的晶体管“可以改变电子世界”

作者：精品下载站 日期：2024-12-13 15:49:01 浏览：13 分类：涨姿势

由于纳秒级的开关速度和拒绝磨损，独特的晶体管“可以改变电子世界”

一种新材料可以承受“数十亿次”电循环而不会磨损——科学家表示，它可以在 10 到 20 年内改变电子产品。

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[涨姿势] 由于纳秒级的开关速度和拒绝磨损，独特的晶体管“可以改变电子世界”

研究人员开发出了一种新型晶体管，他们称这种晶体管可以在未来二十年内“改变电子世界”。

这种新型晶体管采用由堆叠、平行的氮化硼层制成的超薄材料制成，研究人员声称这种材料可以在纳秒内在正电荷和负电荷之间切换，并能承受超过 1000 亿次循环而不会磨损。

这使得它不仅适用于高速、节能的电子设备，而且也适用于更密集的内存存储。由于氮化硼非常薄，而且切换偏振所需的电压与厚度成正比，因此用这种材料制成的晶体管的功率需求将非常低。

研究人员在一份声明中表示，与现有晶体管材料相比，该材料的性能“已经达到或超过了行业标准”。他们于 6 月 6 日在《科学》杂志上发表了他们的发现。

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“在我的实验室里，我们主要研究基础物理学。这是第一个，也许也是最引人注目的例子之一，说明非常基础的科学如何导致对应用产生重大影响的事情，”研究合著者巴勃罗麻省理工学院物理学教授 Jarillo-Herrero 在声明中说道。

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由于其铁电特性，氮化硼可以在十亿分之一秒内在正电荷和负电荷之间切换。该术语用于描述具有自发电极化（正电荷和负电荷分离）的材料，可以通过施加电场来反转该自发电极化。在新材料中，这种极化的发生是由于材料层在受到电流时发生的独特滑动作用。当氮化硼层彼此滑动时，硼和氮原子的位置发生变化，导致电荷交换。

研究人员将这一过程比作“将双手压在一起，然后将一只手稍微移到另一只手上方”。与传统材料制成的闪存不同，这会改变材料的电子特性，而不会磨损材料。

“每次写入和擦除闪存时，都会出现一些性能下降。随着时间的推移，它会磨损，这意味着您必须使用一些非常复杂的方法来分配在芯片上读取和写入的位置，”

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